CN
产品技术
隧穿氧化/多晶硅沉积
祝融系列ZR5000×2管式PECVD ToxPoly All-in-one 镀膜系统利用微导纳米率先突破中试与GW级量产导入的PECVD 隧穿氧化层与原位掺杂多晶硅层镀膜技术以及know-how,解决了PE-TOPCon技术路线管式PECVD设备镀导电膜的设备瓶颈与低温poly容易爆膜的工艺瓶颈,实现了在同一根工艺管内连续完成超薄隧穿氧化层,非晶硅层,原位掺杂多晶硅层以及原位掩膜层的沉积,极大地简化了生产工艺,专为接触钝化 (TOPCon、XBC和HJT+TOPCon)等高效电池技术量身定制,为TOPCon电池技术产业化提供了可靠的量产解决方案以及新路线,助力了电池技术从PERC到TOPCon的迭代。
销售邮箱
semisale@leadmicro.com
产品特点
用于TOPCon, XBC, TOPCon+HJT等高效电池技术路线的应用
1
All-in-one 镀膜技术,可在同一工艺管内连续完成超薄隧穿氧化层,非晶硅层,原位掺杂多晶硅层以及原位掩膜层的沉积,极大地简化了生产工艺
2
优异的温度控制和等离子控制系统,搭配超高载片量的石墨舟设计,在确保设备产能的同时大幅提升电池转换效率
3
精准制备 SiOx/Poly-Si(n+),Poly-Si(i),Poly-Si(p+),SiNx, SiONx, SiC, SiOx 等叠层膜,优异的薄膜厚度均匀性
4
多晶硅原位掺杂浓度(1E20~1E21)可调
5
针对新型PE-TOPCon电池技术核心的隧穿氧化层与多晶硅薄膜研发了可镀导电膜、原位掺杂与无爆膜的管式PECVD ToxPoly同管集成技术,研究成果被广泛转载并成功完成产业化,受到了行业的认可,市场占有率快速攀升
6